營(yíng)銷(xiāo)人員產(chǎn)品培訓(xùn)考試（2025年）

姓名：

工號(hào)：

部門(mén)：

1、TGV可實(shí)現(xiàn)的最小粗糙Ra約是？

A、38nmB、40μmC、10μmD、10nm

2、FLEE技術(shù)不能加工的材料？

A、石英B、BF33C、AF32D、陶瓷

3、Panel級(jí)TGV標(biāo)稱(chēng)加工孔位置精度是？

A、1μmB、3μmC、5μmD、7μm

4、FLEE技術(shù)2025年新一代的激光光源類(lèi)型是？

A、紫外納秒B、紫外飛秒C、紅外飛秒D、綠光飛秒

5、TGV加工設(shè)備標(biāo)配的功能是？

A、脈沖能量檢測(cè)B、動(dòng)態(tài)調(diào)焦C、脈沖計(jì)數(shù)D、功率點(diǎn)檢

6、Mini LED全自動(dòng)激光七個(gè)設(shè)備型號(hào)是？

A、TDC-V2061AB、MC-3060AC、DSI-9200D、XC7000E、SFC-V2061A

7、TDCV2061A多焦機(jī)型硬件選配項(xiàng)沒(méi)有的是？

A、AGVB、同軸模塊C、四模激光器D、多焦切換模塊E、激光對(duì)焦模塊

8、劃片軟件的最新升級(jí)不包括？

A、步距測(cè)量B、建檔指引C、改檔直接生效D、保留了上下料控制屏E、自動(dòng)旋轉(zhuǎn)中心

9、切割硅片使用的是哪款刀片？

A、軟刀B、硬刀C、樹(shù)脂刀D、金屬刀

10、刀輪機(jī)的BBD的作用？

A、測(cè)量刀片長(zhǎng)度B、測(cè)量刀片寬度C、測(cè)量刀片破損D、測(cè)量刀片磨損

11、刀輪機(jī)主軸的構(gòu)成？

A、機(jī)械主軸B、氣浮主軸C、絲桿主軸D、皮帶主軸

12、以下表述不屬于刀輪機(jī)切割工藝？

A、表邊B、表面燒灼C、背崩D、隱裂

13、TDCV2061A多焦機(jī)型激光器類(lèi)型？

A、GSB、光源C、UFD、SCRALE、HYCEAN

14、曝光機(jī)的光源平行半角是多少度？

A、3°B、6°C、4°D、10°

15、全自動(dòng)雙面對(duì)準(zhǔn)單面曝光機(jī)正對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)精度是多少？

A、±1UmB、±0.5UmC、±3UmD、±5Um

16、曝光機(jī)預(yù)對(duì)準(zhǔn)精度是多少？

A、±100UmB、±80UmC、±160UmD、±140Um

17、MicroLED的芯片尺寸通常？

A、<100B、<200C、<250D<300

18、MicroLED大面積小芯片鍵合的時(shí)候，哪項(xiàng)是當(dāng)前主要的問(wèn)題

A、載臺(tái)平面度B、加工效率C、熱失配D、自動(dòng)化

19、以下那個(gè)方法并不是用來(lái)解決芯片波長(zhǎng)一致性的問(wèn)題

A、上游Wafer制作技術(shù)改進(jìn)B、分BINC、混BIND、提高精度

20、當(dāng)MicroLED背板上的不良只剩下幾十顆甚至十幾顆的時(shí)候，用以下哪個(gè)設(shè)備修復(fù)合適

A、激光剝離設(shè)備B、巨量轉(zhuǎn)移C、單點(diǎn)轉(zhuǎn)移焊接一體機(jī)D、激光去除修復(fù)設(shè)備

21、下面不是晶圓級(jí)分選編帶機(jī)的上料有哪些？

A、載帶B、蓋膜C、晶圓片D、華夫盒

22、我司晶圓級(jí)分選編帶機(jī)的UPH最高可達(dá)？

A、30KB、50KC、40KD、60K

23、我司目前的平移分選設(shè)備目前沒(méi)有的類(lèi)型？

A、Wafer to TrayB、Wafer to WaferC、Tray To TrayD、Reel To Tray

24、我司轉(zhuǎn)塔式的分選機(jī)目前沒(méi)有的類(lèi)型？

A、Wafer to TrayB、Wafer to WaferC、Tray To TrayD、 Tray To Reel

25、客戶的來(lái)料8寸鐵環(huán)下料是子母環(huán)，DIE尺寸20mm且很薄對(duì)產(chǎn)能無(wú)要求可以選用？

A、平移式Wafer to Wafer分選機(jī)A、平移式Wafer to Tray分選機(jī)C、轉(zhuǎn)塔式Wafer to Wafer分選機(jī)D、晶圓級(jí)分選編帶機(jī)

26、以下哪項(xiàng)是激光開(kāi)槽沒(méi)有用到的激光器類(lèi)型?

A、紫外納秒B、紫外皮秒C、綠光皮秒D、紅外皮秒

27、以下哪項(xiàng)是全自動(dòng)激光開(kāi)槽機(jī)GV-N3232系列機(jī)型沒(méi)有配備的功能？

A、保護(hù)液余量自動(dòng)檢測(cè)B、下光源尋edgeC、自動(dòng)清洗D、膜厚自動(dòng)檢測(cè)

28、以下哪項(xiàng)不屬于開(kāi)槽機(jī)正常加工的材質(zhì)？

A、硅B、金屬C、low-kD、陶瓷

29、紫外激光器的波長(zhǎng)是多少？

A、532nmB、1064nmC、355nmD、1030nm

30、ID打標(biāo)機(jī)不含OCR的UPH是多少？

A、100B、120C、150D、180

31、我司標(biāo)準(zhǔn)ID打標(biāo)機(jī)的精度是多少u(mài)m？

A、±100B、±120C、±75D、±150

32、我司IC打標(biāo)設(shè)備基板、L/F框架與單顆Tray、Boat設(shè)備打印位置精度是多少？

A、±50um，±100umB、±75um，±100umC、±100um，±100umD、±75um，±50um

33、IC Mark設(shè)備印后檢使用相機(jī)類(lèi)型是？

A、4K線陣相機(jī)B、8K面陣相機(jī)C、8K線陣相機(jī)D、16K線陣相機(jī)

34、LM-N5301B/G打標(biāo)設(shè)備最大兼容產(chǎn)品長(zhǎng)邊翹曲能力是多少？

A、≤3mmB、≤5mmC、≤7mmD、≤10mm

35、IC打標(biāo)設(shè)備沒(méi)有用到的激光器波長(zhǎng)類(lèi)型是哪個(gè)？

A、355nmA、532nmC、1064nmD、10.6um

36、激光解鍵合設(shè)備采用的激光器及波長(zhǎng)是？

A、固體紫外B、固體綠光C、光纖紅外D、固體紅外

37、激光解鍵合設(shè)備激光與膠材之間發(fā)生的反應(yīng)是？

A、光化學(xué)反應(yīng)B、光熱反應(yīng)C、熱反應(yīng)D、汽化反應(yīng)

38、激光解鍵合之后的晶圓清洗不含哪一項(xiàng)？

A、去離子水洗B、濕法藥液清洗C、干法等離子清洗D、濕法刷洗

39、激光環(huán)切設(shè)備功能不包含哪一項(xiàng)？

A、晶圓環(huán)切B、Notch切割C、去離子水洗B、濕法藥液清洗

40、激光環(huán)切設(shè)備當(dāng)前主要采用的是（）激光器？

A、紫外納秒B、綠光納秒C、紫外皮秒D、紅外皮秒

41、大族半導(dǎo)體隱切部門(mén)只要面向哪些半導(dǎo)體材料的切割工藝？

A、SiC、GaN、金剛石、SiB、GaAs、InPC、LT、LND、以上都是

42、大族半導(dǎo)體SiC晶圓激光退火主要原理是什么？

A、使背金氣化B、加熱SiC襯底C、使背面金屬與SiC襯底發(fā)生合金化反應(yīng)，形成歐姆接觸D、加熱正面外延層

43、目前大族半導(dǎo)體SiC切割方案最新推出的工藝方案是什么？

A、隱切+裂片工藝方案B、表切+隱切+裂片工藝方案C、表切+刀輪工藝方案D、Di-Sync工藝方案

44、SDBG激光隱形切割機(jī)主要應(yīng)用于哪個(gè)領(lǐng)域？

A、LED行業(yè)B、存儲(chǔ)器行業(yè)C、功率器件D、聲學(xué)傳感器

45、DA100軟硬件配置最高的版本的是？

A、DA100 SE（LED）B、DA100 PLUS（半導(dǎo)體）C、DA100 PRO（分立器件）

46、DA100-A5 SE適用行業(yè)有哪些？

A、LEDB、半導(dǎo)體C、分立器件

47、DA100正背切功能精度可達(dá)多少？

A、4umB、1umC、2um

48、DA100可加工最大尺寸是多少？

A、6寸B、8寸C、12寸

49、占地面積最小機(jī)型是？

A、DA100-A7 PLUS（大族12寸）B、DFL161（DISCO 12寸）C、L1205DICINGUVP（ASM 12寸）

50、全切工藝劣勢(shì)（相對(duì)隱切及等離子）是什么？

A、碎屑較多A、可加工金屬C、可切割膜類(lèi)B、性價(jià)比更高

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